سخت افزار/ کمپانی IBM از اولین فناوری ساخت 2 نانومتری در دنیا رونمایی کرد. این لیتوگرافی از نانوشیت به عنوان راهکار جدیدی استفاده می‌کند تا تولید نودهای کوچک‌تر را ممکن سازد. این روزها نامگذاری فناوری‌های ساخت به یک استاندارد در دنیای چیپ‌ها تبدیل شده درست به مانند صنایع دیگر. تقریبا هر تولید کننده‌‌ای به روش خاص خود یک نود را تعریف می‌کند، برخی از آنها با سخت گیری بیشتر و برخی دیگر نیز تلاش می‌کنند تا کار خود را بهتر جلوه دهند. IBM اما ظاهرا اولین کمپانیست که موفق شده به یک بهبود پایدار با استفاده از نانوشیت دست یابد که حقیقتا جذاب‌تر از نام 2 نانومتریست که برای لیتوگرافی خود انتخاب کرده است.
به شکل معمول هر نسل از نودها 50 درصد بهبود را در همان فضای چیپ قبلی ارائه می‌دهند، بنابراین وقتی شرکت‌‌ها از تکنیک‌های نوینی مانند FinFET استفاده می‌کنند و همان بهبود را بدون کاهش دادن فضای چیپ ارائه می‌دهند، ادعاهای آنها کمی از واقعیت فاصله می‌گیرد. واضح بگوییم در حال حاضر هیچ کدام از تولید کنندگان درباره نامگذاری لیتوگرافی خود صادق نیستند اما اگر بخواهیم آنها را از نظر سخت گیری رتبه بندی کنیم، اینتل تقریبا دو برابر سخت گیرتر از TSMC است.
برای مثال فناوری 7 نانومتری اینتل به مانند نود 5 نانومتری TSMC خواهد بود. همچنین نود 5 نانومتری TSMC حتی بهبود 50 درصدی را نیز ارائه نمی‌دهد (ما تنها شاهد 15 درصد بهبود نسبت به 7 نانومتر هستیم) بنابراین نام 5 نانومتر کمی برای آن عجیب است. با توجه به ادعای IBM درباره فناوری 2 نانومتری خود که گفته شده 50 درصد بهبود را نسبت به 7 نانومتر TSMC ارائه می‌دهد، در بهترین حالت ما شاهد فناوری 3.5 نانومتری هستیم. اما بخش مهم لیتوگرافی جدید IBM نکته دیگریست.
در رقابت فعلی لیتوگرافی که بسیار مشکل شده و بسیاری به دنبال FinFET بعدی یا تکنیک‌ها مشابه هستند ما شاهد نکته جدیدی هستیم. هر چند که گفته می‌شود NA EUV یکی از راهکارهای جدید خواهد بود اما IBM ظاهرا موفق شده از تکنولوژی نانوشیت برای این منظور کمک گیرد. این موضوع برای ما بسیار مهم‌تر از نام‌هایی مانند 2 نانومتر است.
در عین حال بسیار جالب خواهد بود که ببینیم کمپانی مذکور چگونه قصد دارد مشکلاتی مانند Quantum Tunneling (جایی که گیت‌ها دیگر به عنوان گیت عمل نمی‌کنند و الکترون‌ها به سادگی از آنها عبور می‌کنند) و غیره را کنار بزند.