ساختار سخت افزاری و نوع پیکربندی درایوهای جامد 860 EVO بگونه ای بهینه سازی شده است که عملکرد مطلوب و سرعت تبادل اطلاعات در حین پردازش فعالیتهای مختلف حفظ میگردد. از طرف دیگر با بهره گیری از تکنولوژی هوشمند TurboWrite و افزایش ظرفیت حافظه موقت از 12 گیگابایت به 72 گیگابایت، سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات تا ارقام 550 و 520 مگابایت در ثانیه افزایش یافته و جابجایی اطلاعات با سرعت بیشتری صورت میپذیرد.
عملکرد شناور، حفظ پایداری و ظرفیت نوشتاری (TBW) از جمله مهمترین فاکتورهای مورد استفاده در ارزیابی درایوهای جامد محسوب میشوند که این امر در زمان ذخیره سازی و پردازش تصاویر سه بعدی و محتوای 4K از اهمیت بسیار بالایی برخوردار خواهد بود. استفاده از نسل جدید تکنولوژی V-NAND میزان ظرفیت نوشتاری درایوهای 860 EVO را در مقایسه با درایوهای 850 EVO به میزان 8 برابر افزایش داده است تا کاربران بتوانند با خیالی آسوده به انجام امور مختلف خود بپردازند.
مشخصات فیزیکی
-
وزن
8 گرم گرم
مشخصات فنی
-
ظرفیت
1 ترابایت
-
رابط
PCI-Express 3.0 x4
-
فرم فاکتور
M.2
-
کنترل کننده
Samsung MJX Controller
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
550MB/s
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
520MB/s
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
97,000 IOPS
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
88,000 IOPS
-
ضد خش
خیر
-
مقاوم در برابر ضربه
خیر
-
مقاوم در برابر لرزش
بله
-
مقاوم در برابر شوک
بله
-
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1,500G & 0.5ms
-
نوع فلش
MLC
-
میانگین عمر
1.5 میلیون ساعت ( 600 TBW )
-
پشتیبانی از RAID
خیر
-
پشتیبانی از TRIM
بله
-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
خیر
-
قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل‌های
windows -
mac
-
مصرف برق
3 وات ( حداکثر 4.5 وات )
-
سایر قابلیت‌ها
سری 860 evo -
نوع اینترفیس : SATA 6 Gb/s
-
سازگار با SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s
-
حداکثر سرعت خواندن اطلاعات 550 MB/s
-
حداکثر سرعت نو اطلاعات 520 MB/s
-
نوع تکنولوژی Samsung V-NAND 3bit MLC
منبع: دیجیزا